制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:是

晶体管极性:PNP

典型输入电阻器:2.2 kOhms

典型电阻器比率:0.22

安装风格:SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min:50

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V

集电极连续电流:- 100 mA

Pd-功率耗散:150 mW

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:RN2115

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:- 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V

高度:1.2 mm

长度:1.2 mm

工作温度范围:- 65 C to + 150 C

类型:PNP Epitaxial Silicon Transistor

宽度:0.5 mm

商标:Toshiba

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors