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RN1441ATE85LF /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
RN1441ATE85LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:RN1441-1444 -

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):5.6K

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 4mA,2V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

频率 - 跃迁:30MHz

功率 - 最大值:200mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:S-Mini

其它名称:RN1441-A(TE85L,F)RN1441ATE85LFTR

供应商RN1441ATE85LF
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