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RN1313,LF /双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V
RN1313,LF的规格信息
RN1313,LF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:47 kOhms

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

最大工作频率:250 MHz

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:100 mA

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:150 mW

最大工作温度:+ 125 C

系列:RN1313

封装:Cut Tape

封装:Reel

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

商标:Toshiba

通道模式:Enhancement

最大直流电集电极电流:100 mA

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:6 mg

供应商RN1313,LF
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RN1313,LF晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW 表面贴装型 USMToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO647.61 Kbytes共7页RN1313,LF的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		RN1313,LFToshiba双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
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