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RMA7N20ED1 /MOSFET N-CH 20V 700MA DFN1006-3
RMA7N20ED1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)550mW (Ta)

Operating Temperature-50°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageDFN1006-3

Package / CaseSC-101, SOT-883

供应商RMA7N20ED1
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