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RM80N30DN /MOSFET N-CHANNEL 30V 80A 8PPAK
RM80N30DN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3190 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)66W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-PPAK (3x3)

Package / Case8-PowerWDFN

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