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RM78N100LD /MOSFET N-CH 100V 78A TO252-2
RM78N100LD的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C78A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5480 pF @ 50 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)125W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-252-2

Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商RM78N100LD
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