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RM6N100S4 /MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3
RM6N100S4的规格信息
RM6N100S4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)3W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-223-3

Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

供应商RM6N100S4
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