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RM35N30DN /MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN
RM35N30DN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1265 pF @ 15 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)35W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-DFN-EP (3x3)

Package / Case8-PowerVDFN

供应商RM35N30DN
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