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RM2A3P60S4 /MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT223-3
RM2A3P60S4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 15 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-223-3

Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

供应商RM2A3P60S4
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