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RM1A4N150S6 /MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT23-6
RM1A4N150S6的规格信息
RM1A4N150S6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)150 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1.56W (Tc)

Operating Temperature-50°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23-6

Package / CaseSOT-23-6

供应商RM1A4N150S6
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