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RM18P100HDE /MOSFET P-CH 100V 18A TO263-2
RM18P100HDE的规格信息
RM18P100HDE的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)70W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-263-2

Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商RM18P100HDE
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