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RM130N200HD /MOSFET N-CH 200V 132A TO263-2
RM130N200HD的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C132A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4970 pF @ 100 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)429W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-263-2

Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商RM130N200HD
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