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RM100N65DF /MOSFET N-CHANNEL 65V 100A 8DFN
RM100N65DF的规格信息
RM100N65DF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)65 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)+20V, -12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9500 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)142W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-DFN (5x6)

Package / Case8-PowerVDFN

供应商RM100N65DF
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