系列：RK

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

下降时间：28 ns

典型接通延迟时间：3.5 ns

上升时间：5 ns

Vgs-栅极-源极电压：20 V

Pd-功率耗散：200 mW

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：250 mA

Vds-漏源极击穿电压：60 V

晶体管类型：1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：1.7 Ohms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：N-Channel

Vgsth-栅源极阈值电压：1 V

典型关闭延迟时间：18 ns

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：250mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：15pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2.4 欧姆 @ 250mA，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：60V

连续漏极电流ID：0.25A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs