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RHU002N06T106 /MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
RHU002N06T106的规格信息
RHU002N06T106的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:200 mA

Rds On-漏源导通电阻:2.8 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:RHU002N06

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:1.25 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:4 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:RHU002N06

单位重量:5 mg

供应商RHU002N06T106
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深圳市创科捷佳电子有限公司RHU002N06T106深圳市福田区中航路鼎诚大厦10楼1009-11090755-82722720
13286466676		詹嘉捷Email:jeyzhan@ckjj-ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司RHU002N06T106深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司RHU002N06T106航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司RHU002N06T106深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司RHU002N06T106深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市科思奇电子科技有限公司RHU002N06T106上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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深圳市天卓伟业电子有限公司RHU002N06T106深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城RHU002N06T106深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司RHU002N06T106深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市百域芯科技有限公司RHU002N06T106世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城RHU002N06T106深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司RHU002N06T106华强北都会轩26010755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司RHU002N06T106深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司RHU002N06T106广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237		谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司RHU002N06T106深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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RHU002N06T106MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3Rohm SemiconductorRohm Semiconductor的LOGO127.65 Kbytes共4页RHU002N06T106的PDF下载地址无
RHU002N06T106连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：2.4Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO127.65 Kbytes共4页RHU002N06T106的PDF下载地址无
RHU002N06T106的全球分销商及价格
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元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		RHU002N06T106ROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-3233000+:￥0.46
6000+:￥0.42
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Arrow(艾睿)		RHU002N06T106ROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-3233000+:￥0.46
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		RHU002N06T106Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 200MA UMT3$0.38000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		RHU002N06T106ROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-3233000+:￥0.46
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		RHU002N06T106ROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-3233000+:￥0.46
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		RHU002N06T106ROHM SemiconductorFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-3233000+:￥0.46
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24000+:￥0.34
45000+:￥0.3101
99000+:￥0.3101
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		RHU002N06T106ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 60V 200MA SOT-3231:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		RHU002N06T106ROHM(罗姆)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：2.4Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：N沟道10+:￥0.296225
100+:￥0.222183
300+:￥0.208584
1000+:￥0.194985
5000+:￥0.18894
10000+:￥0.185954
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