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RFG75N05E / MOSFET
RFG75N05E的规格信息
RFG75N05E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:75 A

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:240 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:17 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:75 ns

系列:RFG75N05

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:17 ns

供应商RFG75N05E
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RFG75N05E75A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO53.84 Kbytes共6页RFG75N05E的PDF下载地址HUF75652G3,HUFA75652G3,HUF75652G3,STB60NF03L,HUF75545P3,HUFA75545P3,STB70NF03L,STB70NF3LL,BUZ11,HUF75852G3
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