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RFD10P03LSM9A / MOSFET
RFD10P03LSM9A的规格信息
RFD10P03LSM9A的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:10 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:65 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:20 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:50 ns

系列:RFD10P03

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:15 ns

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RFD10P03LSM9A10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET HARRIS[Harris Corporation]HARRIS[Harris Corporation]的LOGO272.14 Kbytes共12页RFD10P03LSM9A的PDF下载地址RFD10P03L,ITF86172SK8T,RFD10P03L,ITF86174SQT,ITF86182SK8T,HP4410DY,HUF76131SK8,ITF86116SQT,HP4410DY,HUF76131SK8
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