制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:560 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:62 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:4.8 mm

长度:15.4 mm

产品:MOSFET

系列:R8010ANX

晶体管类型:1 N-channel

类型:Power MOSFET

宽度:10.3 mm

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.2 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:54 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:97 ns

典型接通延迟时间:43 ns

零件号别名:R8010ANX

单位重量:2.565 g