包装管件

系列-

零件状态最後搶購

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）220 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.15V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）65nC @ 10V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2.04nF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）120W（Tc）

工作温度150°C

安装类型通孔

供应商器件封装TO-3

封装/外壳TO-3P-3 整包