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R6004ENX /MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
R6004ENX的规格信息
R6004ENX的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:Super Junction-MOS EN

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:1.5 S

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:22 ns

零件号别名:R6004ENX

单位重量:10 mg

供应商R6004ENX
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芯莱德电子（香港）有限公司R6004ENXC7G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司R6004ENX深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司R6004ENX深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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Mouser 贸泽电子		R6004ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET1:¥9.1417
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Mouser 贸泽电子		R6004ENXROHM Semiconductor1+:￥9.17
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