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QSZ3TR /Rohm Semiconductor/分立半导体产品
QSZ3TR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN,PNP(耦合发射器)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 30mA,1.5A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:500mW

频率 - 跃迁:280MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

供应商器件封装:TSMT5

供应商QSZ3TR
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