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QSB363YR /光电晶体管 Phototransistor Si Infrared
QSB363YR的规格信息
QSB363YR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:光电晶体管

RoHS:

封装 / 箱体:T-3/4

峰值波长:940 nm

工作电源电压:5 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

暗电流:100 nA

上升时间:15 us

下降时间:15 us

Pd-功率耗散:75 mW

最小工作温度:- 25 C

最大工作温度:+ 85 C

系列:QSB363

高度:3 mm

长度:2.7 mm

透镜颜色/类型:Black Transparent

封装:Cut Tape

封装:Reel

类型:Photo Transistor

宽度:2.2 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

半强度角度:12 deg

湿度敏感性:Yes

产品类型:Phototransistors

工厂包装数量:1000

子类别:Optical Detectors and Sensors

单位重量:90 mg

供应商QSB363YR
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