FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：270pF @ 10V
FET 功能：肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：215 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TSMT6（SC-95）
封装/外壳：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs