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QID3320002 /Igbt Module, Dual Npn, 3.3kv, 200a
QID3320002的规格信息
QID3320002的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

Transistor Polarity:Dual NPN

DC Collector Current:200A

Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V

Power Dissipation Pd:1.78kW

Collector Emitter Voltage V(br)ceo:3.3kV

Transistor Case Style:Module

No. of Pins:\-

Operating Temperature Max:150°C

Product Range:\-

SVHC:To Be Advised

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