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QBLP651-IR1 /
QBLP651-IR1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

类型:红外(IR)

电流 - DC 正向(If):50mA

不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.6mW/sr @ 20mA

波长:940nm

电压 - 正向(Vf)(典型值):1.3V

视角:40°

朝向:顶视图

工作温度:-40°C ~ 80°C(TA)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:1206(3016 公制)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商QBLP651-IR1
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QBLP651-IR1LED IR CHIP WLP 940NM 20MA 1206QT Brightek (QTB)QT Brightek (QTB)的LOGO491.75 Kbytes共9页QBLP651-IR1的PDF下载地址
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