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Q65110A2485 /Phototransistor IR Chip Silicon 980nm 2-Pin PLCC
Q65110A2485的规格信息
Q65110A2485的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

EU RoHS:Compliant

Phototransistor Type:Phototransistor

Viewing Orientation:Side View

Polarity:NPN

Type:IR Chip

Half Intensity Angle Degrees (°):120

Lens Shape Type:Flat

Minimum Operating Temperature (°C):-40

Maximum Operating Temperature (°C):100

Fabrication Technology:NPN Transistor

Peak Wavelength (nm):980

Material:Silicon

Maximum Light Current (uA):80

Number of Channels per Chip:1

Maximum Collector Emitter Voltage (V):35

Maximum Dark Current (nA):50

Maximum Collector Current (mA):15

Maximum Power Dissipation (mW):165

Mounting:Surface Mount

Package Height (mm):2.1(Max) - 0.1

Package Length (mm):3.4(Max)

Package Width (mm):3(Max)

PCB changed:2

Standard Package Name:LCC

Supplier Package:PLCC

Pin Count:2

Lead Shape:J-Lead

供应商Q65110A2485
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Q65110A2485NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package OSRAM[OSRAM GmbH]OSRAM[OSRAM GmbH]的LOGO203.96 Kbytes共10页Q65110A2485的PDF下载地址
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