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PZTA29_F081 /达林顿晶体管 100V BIP NPN DARLINGTON SOT223
PZTA29_F081的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single Dual Collector

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:12 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

最大直流电集电极电流:800 mA

最大集电极截止电流:100 nA

Pd-功率耗散:1000 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:800 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:10000 at 10 mA at 5 V

增益带宽产品fT:125 MHz

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:112 mg

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PZTA29_F081ON Semiconductor / Fairchild达林顿晶体管 100V BIP NPN DARLINGTON SOT2231:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
2,500:¥0.791