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PXAE213708NB-V1-R2 /SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ

PXAE213708NB-V1-R2的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

包装标准卷带

系列-

零件状态有源

晶体管类型LDMOS

频率2.11GHz ~ 2.18GHz

增益16dB

电压 - 测试29V

额定电流（安培）10µA

噪声系数-

电流 - 测试750mA

功率 - 输出54W

电压 - 额定65V

封装/外壳PG-HB2SOF-8-1

供应商器件封装PG-HB2SOF-8-1

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PXAE213708NB-V1-R2	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 29 V, 2110 â 2180 MHz	CREE[Cree, Inc]		529.64 Kbytes	共5页		无

PXAE213708NB-V1-R2的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	PXAE213708NB-V1-R2	Cree/Wolfspeed	SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ	$78.20000

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