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PUMT1,115 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 40V 100mA
PUMT1,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

晶体管极性:PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:120 at 1 mA, 6 V

高度:1 mm

长度:2.2 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.35 mm

商标:Nexperia

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

Pd-功率耗散:200 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:PUMT1 T/R

单位重量:6 mg

供应商PUMT1,115
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Arrow(艾睿)
PUMT1,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT DUAL PNP 40V 100mA3000+:¥0.42
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PUMT1,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT DUAL PNP 40V 100mA3000+:¥0.42
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Digi-Key 得捷电子
PUMT1,115Nexperia USA Inc.TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSSOP$0.23000
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PUMT1,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT DUAL PNP 40V 100mA3000+:¥0.42
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Future(富昌)
PUMT1,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT DUAL PNP 40V 100mA3000+:¥0.42
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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RS(欧时)
PUMT1,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT DUAL PNP 40V 100mA3000+:¥0.42
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PUMT1,115Nexperia(安世)集电极电流Ic:100mA 额定功率:300mW 晶体管类型:2 PNP(双) 集射极击穿电压Vce:40V10+:¥0.308902
100+:¥0.225655
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10000+:¥0.184921