制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:600 mA

Vds-漏源极击穿电压:105 V

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

增益:19 dB

输出功率:630 W

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:PG-HB2SOF-6-1

封装:Reel

工作频率:920 MHz to 960 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:2 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:3.65 V