PTFC270051M-V2-R1K的供应商，PTFC270051M-V2-R1K规格参数，PTFC270051M-V2-R1K的PDF资料

PTFC270051M-V2-R1K /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

PTFC270051M-V2-R1K的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms

增益:21 dB

输出功率:5 W

最大工作温度:+ 225 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-SON-10

封装:Reel

工作频率:900 MHz to 2700 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

PTFC270051M-V2-R1K的供应商,可免费索样

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PTFC270051M-V2-R1K	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	Wolfspeed / Cree		724.84 Kbytes	共14页		无

PTFC270051M-V2-R1K的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	PTFC270051M-V2-R1K	Cree/Wolfspeed	IC AMP RF LDMOS	$7.41250
Mouser 贸泽电子	PTFC270051M-V2-R1K	Wolfspeed / Cree	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	1,000:¥60.2403

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