制造商:Cree, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:450 mA

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

增益:18.5 dB

输出功率:55 W

安装风格:Screw Mount

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:869 MHz to 960 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:219 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 0.5 V to 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V