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PTF4N60 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tj) 类型：N沟道

PTF4N60的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻3Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）39W(Tj)

类型N沟道

PTF4N60

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PTF4N60	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tj) 类型：N沟道	PUOLOP(迪浦)		1.92 Mbytes	共5页		无

PTF4N60的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	PTF4N60	PUOLOP(迪浦)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tj) 类型：N沟道	1+:￥1.1809 10+:￥0.8661 30+:￥0.8082 100+:￥0.7504 500+:￥0.7247 1000+:￥0.712

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