PTD20N06
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道
PTD20N06的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻44mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）40W
类型N沟道
PTD20N06
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| PTD20N06 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道 | PUOLOP(迪浦) |  | 2.13 Mbytes | 共4页 |  | 无 |
PTD20N06的全球分销商及价格
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立创商城 | PTD20N06 | PUOLOP(迪浦) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道 | 5+:￥0.587288
50+:￥0.442346
150+:￥0.415724
500+:￥0.389102
2500+:￥0.37727
5000+:￥0.371424
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