制造商:Cree, Inc.
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:Dual N-Channel
技术:Si
Vds-漏源极击穿电压:65 V
Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms
增益:17.5 dB
输出功率:80 W
最大工作温度:+ 225 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:H-37248-4
封装:Reel
工作频率:1805 MHz to 2170 MHz
类型:RF Power MOSFET
商标:Wolfspeed / Cree
通道数量:2 Channel
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:10 V