PT4435
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
PT4435的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10.5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻22mΩ @ 10.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型P沟道
PT4435
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PT4435 | 30 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | HTSEMI[Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.] | ![HTSEMI[Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO](/PdfSupLogo/898HTSEMI.GIF) | 2586.95 Kbytes | 共3页 |  | 无 |
PT4435的全球分销商及价格
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 立创商城 | PT4435 | PUOLOP(迪浦) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 | 1+:¥0.44425 10+:¥0.3318 30+:¥0.31115 100+:¥0.2905 500+:¥0.2813 1000+:¥0.2768
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