PSD07N65
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道
PSD07N65的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)120W(Tc)
类型N沟道
PSD07N65
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PSD07N65 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 | PIP(丽隽) |  | 962.32 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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 立创商城 | PSD07N65 | PIP(丽隽) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.5492 10+:¥1.1593 30+:¥1.0877 100+:¥1.0161 500+:¥0.9843 1000+:¥0.9686
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