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PSA10N70 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W(Tc) 类型:N沟道
PSA10N70的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)700V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻900mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)51W(Tc)

类型N沟道

供应商PSA10N70
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PSA10N70PIP(丽隽)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.61
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