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PQMD12Z /NXP Semiconductors/分立半导体产品
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特色产品:DFN1010 Transistors in a 1.1 mm² Leadless Plastic Package

标准包装:5,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):47k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

频率 - 跃迁:230MHz,180MHz

功率 - 最大值:350mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-DFN(1.1x1)

其它名称:568-10950-2934067173147PQMD12

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PQMD12ZNXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 - 分立半导体产品5000+:¥0.71
10000+:¥0.66
25000+:¥0.61
50000+:¥0.55
125000+:¥0.531+:¥2.96
10+:¥2.11
100+:¥0.8201
1000+:¥0.7
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10000+:¥0.59
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125000+:¥0.531+:¥2.96
10+:¥2.11
100+:¥0.8201
1000+:¥0.7
5000+:¥0.63
10000+:¥0.59
25000+:¥0.57
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