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PN4356 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SW
PN4356的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

增益带宽产品fT:100 MHz

系列:PN43

高度:5.33 mm

长度:5.21 mm

封装:Bulk

宽度:4.19 mm

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:0.45 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:50

Pd-功率耗散:625 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

零件号别名:PBFREE PN4356

单位重量:453.600 mg

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