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PN3563 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor
PN3563的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2 V

增益带宽产品fT:600 MHz

系列:PN35

直流电流增益 hFE 最大值:200

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

零件号别名:PBFREE PN3563

单位重量:217 mg

供应商PN3563
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PN3563National Semiconductor Corporation23 : $0.225
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PN3563Rochester Electronics LLC3563 NPN RF Amplifier 15V 0.05A PN3563价格未公开
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