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PMV65XP,215 /MOSFET P-CH TRENCH 20V
PMV65XP,215的规格信息
PMV65XP,215的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:2.8 A

Rds On-漏源导通电阻:74 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:470 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:7.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:833 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 P-Channel Trench MOSFET

宽度:1.4 mm

商标:Nexperia

下降时间:68 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:135 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:PMV65XP T/R

单位重量:8 mg

供应商PMV65XP,215
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现代芯城(深圳)科技有限公司PMV65XP,215www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司PMV65XP,215深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司PMV65XP,215深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市莉诚科技有限公司PMV65XP,215新安街道新安六路勤业商务中心A座42913823158773
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深圳市辉华拓展电子有限公司PMV65XP,215深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
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13380394549
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PMV65XP,215连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:74mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO264.13 Kbytes共14页PMV65XP,215的PDF下载地址
PMV65XP,215的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
PMV65XP,215NXP SemiconductorsFET - 单 TrenchMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH TRENCH 20V1+:¥2.49
10+:¥1.66
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1000+:¥0.9901
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99000+:¥0.833000+:¥0.29
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PMV65XP,215Nexperia USA Inc.MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB$0.36000
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PMV65XP,215NexperiaMOSFET P-CH TRENCH 20V1:¥3.4578
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Verical
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立创商城
PMV65XP,215Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:74mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道10+:¥0.325347
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10000+:¥0.205547