FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：480mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.14nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：87pF @ 10V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：250mW（Ta），770mW（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：850 毫欧 @ 400mA，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-75，SOT-416
封装形式Package：SC-75
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：20V
连续漏极电流ID：0.48A
无铅情况/RoHs：否