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PMEN2423S /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道
PMEN2423S的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻73mΩ @ 2A,1.8V

最大功率耗散(Ta=25°C)900mW

类型P沟道

供应商PMEN2423S
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PMEN2423S连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道Potens(博盛半导体)Potens(博盛半导体)的LOGO415.89 Kbytes共4页PMEN2423S的PDF下载地址
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PMEN2423SPotens(博盛半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道5+:¥0.714419
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