制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3-2

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:2 V

最大直流电集电极电流:8 A

增益带宽产品fT:4 MHz

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:20000

封装:Tray

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:1000

Pd-功率耗散:100 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:20

子类别:Transistors