制造商:Central Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-3-2
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:2 V
最大直流电集电极电流:8 A
增益带宽产品fT:4 MHz
最大工作温度:+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值:20000
封装:Tray
商标:Central Semiconductor
集电极连续电流:8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:1000
Pd-功率耗散:100 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:20
子类别:Transistors