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PMBT5551 / Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 3-Pin TO-236AB
PMBT5551的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

集电极电流(DC ):0.3 A

集电极 - 基极电压:180 V

集电极 - 发射极电压:160 V

发射极 - 基极电压:6 V

频率:300 MHz

功率耗散:0.25 W

安装:Surface Mount

工作温度范围:-65C to 150C

包装类型:TO-236AB

引脚数:3

元件数:1

直流电流增益:80

工作温度分类:Military

弧度硬化:No

晶体管极性:NPN

Collector Emitter Voltage V(br)ceo::160V

功耗::250mW

DC Collector Current::300mA

DC Current Gain hFE::80

Operating Temperature Min::-65°C

Operating Temperature Max::150°C

Transistor Case Style::SOT-23

No. of Pins::3

MSL::MSL 1 - Unlimited

SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)

工作温度范围::-65°C to +150°C

封装::Cut Tape

Weight (kg):0.000008

Tariff No.:85412100

供应商PMBT5551
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13352985419,19076157484
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PMBT5551NPN high-voltage transistor NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO118.29 Kbytes共7页PMBT5551的PDF下载地址
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PMBT5551,215集电极电流Ic:300mA 额定功率:250mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160VNexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO111.87 Kbytes共7页PMBT5551,215的PDF下载地址
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PMBT5551的全球分销商及价格
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PMBT5551,215NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V3000+:¥0.38
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Avnet
PMBT5551,235NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品10000+:¥0.281+:¥2.32
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PMBT5551PH价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
PMBT5551,215NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V3000+:¥0.38
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Digi-Key 得捷电子
PMBT5551,235NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品10000+:¥0.28
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PMBT5551NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 160V 0.3A SOT23
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Future(富昌)
PMBT5551,215NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V3000+:¥0.38
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
PMBT5551,215Nexperia双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HV 300mA 160V1:¥2.3052
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Mouser 贸泽电子
PMBT5551,235Nexperia双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-111:¥2.3052
10:¥1.5594
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1,000:¥0.44522
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Mouser 贸泽电子
PMBT5551,235NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品10000+:¥0.281+:¥2.32
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PMBT5551NXP Semiconductors Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-231 : $0.16
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PMBT5551Yageo / Phycomp Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-2332 : $0.08
1 : $0.16
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PMBT5551NXP Semiconductors Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-231,043 : $0.032
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PMBT5551,215Nexperia(安世)集电极电流Ic:300mA 额定功率:250mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V10+:¥0.317305
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PMBT5551,235Nexperia(安世)三极管1+:¥0.641019
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