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PMBT3904VS,115 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
PMBT3904VS,115的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-666-6

晶体管极性:NPN

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

最大直流电集电极电流:200 mA

增益带宽产品fT:300 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:60 at 100 uA, 1 V

高度:0.6 mm

长度:1.7 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.3 mm

商标:Nexperia

集电极连续电流:200 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:180

Pd-功率耗散:240 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:4000

子类别:Transistors

单位重量:1 g

供应商PMBT3904VS,115
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PMBT3904VS,115集电极电流Ic:200mA 额定功率:360mW 晶体管类型:2 NPN(双) 集射极击穿电压Vce:40VNexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO203.76 Kbytes共12页PMBT3904VS,115的PDF下载地址
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PMBT3904VS,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR4000+:¥0.3
8000+:¥0.26
12000+:¥0.22
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PMBT3904VS,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR4000+:¥0.3
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PMBT3904VS,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR4000+:¥0.3
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Mouser 贸泽电子
PMBT3904VS,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR4000+:¥0.3
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8000+:¥0.21
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
PMBT3904VS,115Nexperia双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.32318
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Verical
PMBT3904VS,115NXP Semiconductors晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR4000+:¥0.3
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100000+:¥0.174000+:¥0.16011+:¥0.251+:¥0.1799
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立创商城
PMBT3904VS,115Nexperia(安世)集电极电流Ic:200mA 额定功率:360mW 晶体管类型:2 NPN(双) 集射极击穿电压Vce:40V5+:¥0.449056
50+:¥0.330138
150+:¥0.308296
500+:¥0.286454
2500+:¥0.276747
5000+:¥0.27195