PJS6403_S1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
PJS6403_S1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.4A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻32mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型P沟道
PJS6403_S1_00001
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PJS6403_S1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 | PANJIT(强茂) |  | 489.39 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJS6403_S1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 | 1+:¥0.9707 10+:¥0.7368 30+:¥0.6938 100+:¥0.6508 500+:¥0.6317 1000+:¥0.6223
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