PJQ5476AL_R2_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道
PJQ5476AL_R2_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)42A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻28.5mΩ @ 15A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W
类型N沟道
PJQ5476AL_R2_00001
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PJQ5476AL_R2_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 441.33 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJQ5476AL_R2_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 | 1+:¥2.96 10+:¥2.16 30+:¥2.01 100+:¥1.87 500+:¥1.8 1000+:¥1.77
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