PJ2301-AU_R1_000A1
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 3.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
PJ2301-AU_R1_000A1的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.1A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻100mΩ @ 3.1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型P沟道
PJ2301-AU_R1_000A1
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PJ2301-AU_R1_000A1 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 3.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | PANJIT(强茂) |  | 380.16 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJ2301-AU_R1_000A1 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.1A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 3.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 | 5+:¥0.47984 50+:¥0.35489 150+:¥0.33194 500+:¥0.30899 2500+:¥0.29879 5000+:¥0.29375
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